Компания Toshiba, производитель NAND Flash-памяти номер два в мире, первое место принадлежит компании Samsung, собирается в самом ближайшем будущем внедрить новую технологию производства чипов Flash-памяти, плотность записи которой в полтора-два раза будет превышать плотность записи в современны образцах таких микросхем. В настоящее время компания выпускает чипы памяти, изготовленные по технологии, использующей техпроцесс 43 и 32 микрона, новая технология производства будет основана на 25 микронном техпроцессе.

Большая плотность записи означает, что большее количество информации может быть сохранено в кристалле, по сравнению с кристаллом таких же размеров, но имеющего меньшую плотность записи. Новые микросхемы памяти могут появиться уже в конце этого года, хотя они, вероятно, будут изготовлены не по 25 микронному техпроцессу. Это связанно с тем, что переход на новый техпроцесс означает полное переоборудование производственных мощностей и потянет за собой огромные материальные затраты.

По планам компании Toshiba полный переход на новый техпроцесс завершится только в 2012 году, именно после этого и появятся первые микросхемы, изготовленные по 25 микронному техпроцессу.